美光拟日本建厂、NAND闪存高价或维持
1.美光计划在日本建DRAM新厂,引入EUV光刻
据快科技引述日媒报道,美国芯片巨头美光科技计划在日本广岛县兴建新厂,用于生产DRAM芯片,据称其最快2027年底便可投入营运。美光科技预计将投入6000至8000亿日元(约合51亿美元)。这座新厂将于2026年初动工,并安装EUV设备。
美光原本就有在日建厂的计划,最初曾预计推动新厂在2024年便投入营运。但此前由于市场状况不佳,计划一度遭到搁置。而如今随着芯片市场回暖,尤其是人工智能热潮下DRAM需求火爆,美光科技又重新推动了这一计划。美光2013年收购了前DRAM大厂尔必达,在日本拥有超过4000名工程师和技术人员。
2.慧荣总经理:NAND闪存可维持高价一整年
据中国台湾工商时报消息,闪存控制芯片大厂慧荣科技总经理苟嘉章指出,AI带动内存需求大爆发,NAND原厂包括SK海力士、铠侠、西数扩产态度谨慎,预期NAND价格可持续维持在高档一整年。
苟嘉章指出,慧荣在AI时代,将与NAND大厂、模块厂商、云端供应服务大厂及服务器制造厂商,一起扮演AI推动者的角色。从3月开始,已看到市场对QLC 闪存的需求。NAND闪存报价一路往上,带动原厂毛利回升,在达到目标前,原厂扩产态度将非常谨慎,供给吃紧对其有利,预期下半年才会慢慢增加产能,以免漏失AI商机。
3.信通院:4 月国内市场手机出货量同比增长28.8%
据IT之家消息,中国信通院发布最新数据,2024年4月,国内市场手机出货量 2407.1万部,同比增长28.8%,其中5G手机2023.2万部同比增长52.2%,占同期手机出货量的84.1%;智能手机出货量2266.8 万部,同比增长25.5%,占同期手机出货量的94.2%。
来源:信通院
今年1-4 月,国内市场手机出货量9148.6 万部,同比增长12.3%,其中5G手机 7666.5万部,同比增长18.3%,占同期手机出货量的83.8%。智能手机出货量 8644.1万部,同比增长10.3%,占同期手机出货量的94.5%;智能手机上市新机型93款,同比下降29.0%,占同期手机上市新机型数量的71.5%。
4.集邦:预估第二季MLCC出货量季增6.8%达12345亿颗
据科创板日报消息,根据TrendForce集邦咨询观察,预期2024年第一季MLCC出货量应该是近三季谷底,第二季ODM手中订单除AI服务器需求稳步成长,其余消费性电子因传统季节性的招标项目需求低。
整体而言,受惠于来自AI服务器的订单需求支撑,以及ICT产品需求虽不见节庆备货的高成长,但仍较第一季维持低成长,助益产能稼动率逐渐回稳,因此预估第二季MLCC出货量将季增6.8%,达12,345亿颗,同步带动第二季营收呈现小幅成长。
5.iPhone降价效果显著,出货大增52%
据快科技消息,苹果在中国市场实施的史上最大降价策略,取得了显著成效。根据最新数据,4月份苹果iPhone在中国市场出货量同比增长52%,今年前两个月,iPhone在中国市场出货量曾出现下滑,但在3月份已经实现了增长。
分析师指出,随着消费者对升级新设备的兴趣增加,iPhone在中国市场的下滑趋势可能即将结束。调查中发现,超过一半的受访者表示愿意为下一部手机花费超过4000元人民币(约合550美元),而目前使用高端手机的受访者中只有33%。
6.英飞凌推出碳化硅MOSFET 400 V系列,面向AI服务器
英飞凌日前宣布推出新的CoolSiC MOSFET 400 V系列,该产品组合面向AI服务器的AC/DC阶段而开发,也是太阳能和储能系统、逆变器电机控制、工业和辅助电源以及住宅楼固态断路器的理想选择。
与现有的650V SiC和Si MOSFET相比,新系列具有超低的导通和开关损耗。在多级PFC中实现,AI服务器PSU的AC/DC级可以获得超过100 W/in³的功率密度,并被证明达到99.5%的效率。CoolSiC MOSFET 400 V产品组合的工程样品现已上市,并将于2024年10月开始批量生产。