大基金三期成立、东芝新功率器件厂竣工

1.国家集成电路大基金三期正式成立，注册资本3440亿元

据快科技消息，企查查APP显示，近日国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司成立，注册资本高达3440亿元。股权穿透显示，该公司由19位股东共同持股，国家财政部持股比例最高为17.4419%，然后是国开金融10.4651%、上海国盛8.7209%，其他主要股东中还有不少国家级银行。

有分析认为，大基金三期的具体投资方向和目标是加快国内半导体的发展进程，可能会重点关注半导体产业链关键的“卡脖子”环节和技术进步，以促进国内集成电路产业的整体发展。三期合计，大基金的总规模已达6868.5亿元。

2.东芝新300mm晶圆功率半导体制造工厂竣工

据东芝半导体及存储公司官网23日发布的消息，当天在位于日本石川县的加贺东芝电子株式会社举行仪式，庆祝新的300 mm功率半导体晶圆制造工厂和办公楼竣工。东芝目前将进行设备安装，争取在2024财年下半年量产。

一期工程全面投产后，东芝功率半导体（主要是MOSFET和IGBT）的产能将是2021财年制定投资计划时的2.5倍。关于二期建设和开始运营的决定将反映市场趋势。

随着汽车的持续电气化和工业机械的自动化，需求将持续强劲增长。东芝于2022财年下半年在加贺东芝电子现有工厂开始在一条新的300毫米生产线上开始功率半导体生产。展望未来，该公司将通过新工厂扩大产能，进一步为碳中和做出贡献。

3.调研：中芯国际跃升至全球第三大晶圆代工厂

据TechWeb消息，研究机构Counterpoint的最新的报告显示，中芯国际在2024年第一季度全球晶圆代工收入中排名第三，仅次于台积电、三星。

报告表示，2024年第一季度全球晶圆代工行业的收入环比下降约5%，但同比增长12%。随着国内芯片需求开始复苏，中芯国际第一季度业绩超出市场预期，以大约6%的市场份额占据第三位。中芯国际第一季度营收达17.5亿美元，同比上升19.7%，环比上升4.3%，，并且预计第二季度产品出货量会继续上升。

4.博通推5纳米P1400GD高速网卡，支持400Gbps网络

据IT之家消息，博通近日推出P1400GD网卡，支持400Gbps网络，搭载BCM57608芯片，符合IEEE P802.3bs标准。博通表示，这款网卡是业界首批采用5纳米制程构建的产品，搭载第六代增强型NIC架构、第四代RoCE拥塞控制系统，同时支持TruFlow等硬件加速技术。

规格方面，该卡采用单槽空间，使用被动散热，需在PCIE 5.0x16通道下使用，单口最高支持400G速率，向下兼容200/100/50/40/25G，支持全双工模式，还支持 100G/50G PAM和25G NRZ高速SerDes。

5.英飞凌：8kW节能电源单元将于明年一季度上市

英飞凌5月24日公布了专门为满足人工智能数据中心当前和未来能源需求而设计的节能电源单元（PSU）路线图。

除了目前可用的输出功率为3千瓦和3.3千瓦的PSU外，新的8千瓦和12千瓦产品将有助于进一步提高未来人工智能数据中心的能效。借助12千瓦的参考板，英飞凌将提供世界上第一个达到这一性能水平的电源单元，并为未来的数据中心供电。

基于SiC和GaN等宽带隙材料的创新半导体是有意识地有效利用能源推动脱碳的关键。8kW电源装置将于2025年第一季度上市。

6.纳芯微推出集成式电流传感器NSM2311

近日，纳芯微推出全新NSM2311集成式电流传感器芯片，是一款完全集成的高隔离电流传感器解决方案，具有出色的通流能力，原边阻抗低至100μΩ，持续通流能力高达200A，满足AEC-Q100的可靠性要求。

得益于仅100uΩ的超低原边阻抗，NSM2311相对于纳芯微已量产的集成式电流传感器NSM201x、NSM211x (1MHz)系列，通流能力得到了进一步提升，高达200A，满足了高功率应用的需求，进一步降低了紧凑系统中散热设计的难度。同时，NSM2311能在-40~150℃的宽温范围内稳定工作，适应各种极端环境条件。